2024年5月7—9日
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【突破性进展】三安半导体碳化硅衬底项目B1栋圆满封顶!

发表时间:2024-02-02 17:20

从一纸蓝图到品质建筑

从一砖一瓦到灯火可期

卓越品质源于细节打磨

更源自匠心坚守

2024年1月23日

华西公司三安半导体碳化硅衬底项目B1栋

顺利封顶!




项目概况

此项目总体分为两个项目标段,总面积约5.8万㎡,合同工期仅为8个月,项目于2023年11月15日正式进场施工。

重庆三安半导体碳化硅衬底项目(生活服务设施区)总建筑面积:2.08万㎡,建筑最高高度:26.20米,B1、B2栋6层框架结构,B3栋为7层框架结构,B4栋6层框剪结构。

安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目(生活服务设施区)总建筑面积:3.7万㎡,建筑最高高度41.10米,A1、A2栋6层框架结构,A3、A4栋12层框剪结构,C1栋3层框架结构。

据悉,该项目业主方为“三安意法半导体(重庆)有限公司”,是我国芯片行业第一个8英寸衬底项目,不仅是建投六建进驻三安光电公司的首个项目,也是闯进重庆市高新区市场的首个项目。一方面为深入挖掘三安光电公司体系内的其他项目奠定基础,也为拓展其他同类型项目提供了借鉴;另一方面为进一步打开重庆市高新区市场树立了品牌,有助于进一步提升公司的市场竞争力。

项目建成后将成为重庆市半导体行业发展的新标杆、新名片,进一步推动中国半导体产业的发展

匠心筑造,品质速度齐并进



从2023年11月15日正式开工,到2024年1月23日完成浇筑,三安半导体碳化硅衬底项目首栋楼体封顶2个月的日月兼程,建投六建的建设者们跨越严寒,攻坚克难,在春节前夕,为大家送上2024“开门红”。

该项目因回填土区地剥蚀浅丘地貌,多工序交叉作业,协调难度大,且要求与安意法项目同时竣工。项目部果断采取有代表性的试验桩使用以点推面的工作方法,严格跟踪和控制沉桩质量,在现场多工序交叉作业,协调难度大的情况下高质量保障施工要求,使用高效机制的方法管理班组,杜绝了返工和施工交叉混乱现象,为项目顺利封顶打下了坚实的基础。

奋力冲刺,白天黑夜不停歇

本次封顶的B1栋楼为管桩承台基础,6层的框架结构。自11月17日开始施工基础,27天完成基础及承台开挖浇筑施工。40天完成主体结构支模浇筑。
塔吊4台,天泵3台,挖机7台,振动棒5台,钢筋加工设备21台,高峰期施工人数255人。“5+2”“白加黑”他们日夜兼程,只为彰显六建铁军的奋勇拼搏!

阳光下,钢筋铁骨交织成片,轰鸣声不绝于耳;

灯光下,塔吊天泵交相辉映,守护着建设热土。


B1栋的顺利封顶是过程中的一个里程碑节点。接下来,B2、B4、C1三栋也将在年前陆续封顶,其余楼栋也会“紧随其后”,将在2024年7月前实现全部交付,为项目投入使用奠定坚实基础。

来源:网络

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